impuretés
L'origine de la résistance d'un matériau est la diffusion des électrons (qui conduisent l'électricité) sur les défauts présents dans ce matériau
(impuretés, lacunes, etc.). Mathématiquement, on décrit ces défauts par un potentiel de diffusion. Si les défauts
sont chargés les électrons libres du système veulent écranter (masquer) la charge du défaut et il se construit un
autre potentiel. Ce potentiel "auto-induit" (ou potentiel d'interaction) se construit donc autour des impuretés et peut perturber lui aussi le passage des électrons de
conduction et ainsi modifier la résistance du matériau. Durant ma thèse au LCMI, j'ai étudié l'infulence de ce potentiel qui varie fortement en fonction
de la température. Nous avons observé pour la première fois qu'il y a deux régimes d'interaction en fonction de l'espacement des impuretés et de la température.
Pour en savoir plus, voir l'article Physical Review B aussi disponible librement sur l'archive de Cornell.
bords du système
Même s'il était mal compris le potentiel d'interaction était bien connu lorsqu'il a pour origine les impuretés.
Lors de mon séjour dans le Quantum Solid State research group nous avons montré qu'un tel potentiel
peut aussi avoir de l'influence dans des dispositifs ne comportant pas d'impuretés. Ce potentiel (voir l'image) se construit aussi sur les bords du système et peut perturber
la conduction dans les dispositifs où les bords sont suffisament proches. Ce résultat pourrait avoir de l'importance dans les futurs dispositifs électroniques de dimensions ultimes.
Pour plus de détails dans l'article Physical Review Letters ou dans la version libre sur l'archivre de Cornell.